Конструкция элемента светозапоминающей панели, экспериментально исследованной Розенталем (США). Основанием здесь служит стеклянная пластина, покрытая электропроводящим прозрачным слоем. Поверх проводящего слоя нанесен тонкий слой электролюминофора толщиной около 0,06 мм.
Слой электролюминофора покрыт стеклянной шайбой толщиной 0,375 мм с отверстием в центре (диаметр отверстия 0,38 мм). Шайба служит для направления части света, излучаемого слоем электролюминофора, на фотопроводящии слой. Геометрические размеры элемента, таким образом, определяют величину коэффициента обратной связи. Шайба находится в тесном контакте с верхней поверхностью электролюминесцентного слоя.
Поверх шайбы наносится проводящее покрытие в виде двух проводящих колец: 2 и 4. Зазор между концентрическими кольцами равен 0,25 мм. На кольца нанесен фотопроводящии слой из сернистого кадмия. Переменное напряжение, возбуждающее электролюминесценцию, прикладывается между проводящим кольцом 2 и проводящим покрытием 9, нанесенным под слоем электролюминофора.
Для обеспечения непрерывности цепи контакта с верхней поверхностью электролюминофора создается кольцо из проводящего слоя 6, соединенное по стенкам отверстия с кольцом. Эффект запоминания имел место в диапазоне частот питающего напряжения 20 - 1 000 гц. Освещение фотопроводящего слоя импульсом света длительностью порядка 1 мсек возбуждает электролюминесценцию элемента, который становится светящимся до тех пор, пока напряжение не снижается до 300 в.
Элементы, описанные выше, дают возможность построить запоминающее устройство с большой поверхностью путем создания панели с большим количеством ячеек. Если расстояние между центрами отверстий выбрано равным 2 лш, то для получения разрешающей способности, эквивалентной телевизионному растру на 625 строк, общий размер панели запоминающего устройства будет равен примерно 1,25X1,7 м. Интенсивность света, возбуждающего описанное устройство, должна быть не более 3,4 и не менее 0,7 нит.
Длительность светового импульса должна быть больше постоянной времени фотопроводникового слоя, т. е. порядка нескольких миллисекунд. Структура описанного типа может быть также использована в электронно-лучевой трубке в качестве экрана при условии, если сопротивление фотослоя под действием модулирующего электронного пучка понижается. Электрофотолюминесцентные усилители яркости. При создании твердых усилителей яркости оптических изображений может быть использовано явление электрофотолюминесценции.
